Anti-reflective coating SiCxNyH / Silicon interface improvement by N2 plasma processing. - Université Clermont Auvergne
Communication Dans Un Congrès Année : 2022

Anti-reflective coating SiCxNyH / Silicon interface improvement by N2 plasma processing.

H. Beji
Institut de Chimie de Clermont-Ferrand
G. Monier
  • Fonction : Auteur
L. Bideux
P. Hoggan
  • Fonction : Auteur
S. Bassem
  • Fonction : Auteur
Z. Mohammed
  • Fonction : Auteur
H. Hadi
  • Fonction : Auteur
A. Bousquet
  • Fonction : Auteur
Institut de Chimie de Clermont-Ferrand
E. Tomasella
  • Fonction : Auteur
Institut de Chimie de Clermont-Ferrand
C. Robert-Goumet
  • Fonction : Auteur

Domaines

Chimie

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https://uca.hal.science/hal-04061318

Soumis le : jeudi 6 avril 2023-16:46:35

Dernière modification le : mardi 11 juin 2024-15:18:32

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04061318 , version 1 (06-04-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04061318 , version 1

Citer

H. Beji, G. Monier, L. Bideux, P. Hoggan, S. Bassem, et al.. Anti-reflective coating SiCxNyH / Silicon interface improvement by N2 plasma processing.. EMRS Spring Meeting 2022, May 2022, Virtual conference, France. ⟨hal-04061318⟩

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